1.1 原理简述   双脉冲测试平台主要是通过特定程序控制功率元件在可控范围内两次开通，并测量过程中各 种动态参数，特别是在不同母线电压，不同温度下参数差异，是评估 FRD 和 IGBT 二十多种 动态参数重要测量手段。同时也是功率元件驱动及保护电路参数调整和验证的测量平台。 1.2 原理框图 1.3 主要作用1、测试对比不同 IGBT 的参数； 2、评估驱动的功能和性能； 3、获取 IGBT 在开通、关断过程的主要参数，以评估 Rgon 及 Rgoff 的数值是否合适； 4、开通、关断过程是否有不合适的震荡； 5、评估二极管的反向恢复行为和安全余量； 6、IGBT 关断时的电压尖峰是否合适，关断之后是否存在不合适的震荡； 7、评估 IGBT 并联的均流特性； 8、测量母排和系统的杂散电感。9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封装；如特殊封装可 以定制开发适配版。 电源范围0～1000VDC加热范围室温～200℃测试电流0～2400A负载电感50uH\100uH\200uH\500uH （标配 2 种）脉宽调制范围5～400us脉宽显示屏4 寸 通过此设备与示波器连接测试项目 开通参数关断参数Frd 反向恢复参数开通最大尖峰电流 Ic-peak max关断最大尖峰电压 Vce-peak max最大反向恢复电流 IRM开通时间 Ton关断时间 Toff反向恢复损耗 Erec开通延迟 Td-on关断延迟 Td-off反向恢复时间 Trr开通电压变化率 dv/dt-on关断电压变化率 dv/dt-off反向恢复电荷 Qrr开通电流变化率 di/dt-on关断电流变化率 di/dt-off反向恢复峰值功耗 Prr-peak开通电压下降时间 tf-v-on关断电压上升时间 tr-v-off前沿电流变化率 di/dt-r开通电流上升时间 tr-i-on关断电流下降时间 tf-i-off后沿电流变化率 di/dt-f开通损耗 EonIc 拖尾电流值 It反向恢复电压变化率 dv/dt-rrIc 拖尾时间 Tt最大反向恢复尖峰电压 Vrr-peak关断损耗 Eoff

该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过特制测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试

IGBT双脉冲测试平台

HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；测试参数：ICES  集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用

功率器件测试仪，测试二极管 、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。

IGBT静态参数测试仪HUSTEC-1600A-MT

IGBT静态参数测试仪

<p style="text-align:left;text-indent:2em;" microsoft="" yahei";="" box-sizing:="" border-box;="" margin-bottom:="" 11px;="" color:="" rgb(42,="" 51,="" 60);="" background-color:="" rgb(255,="" 255,="" 255);"="">IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。 深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件高端智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。 A：测量多种IGBT、MOS管 B：最大脉冲电流1200A，电压5KV，大功率测试 C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围&gt;10VF：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管等器件的V-I  特性测试 ， 广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电 ，变频器， 焊机行业的  IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。能够通过电脑操作完成IGBT 的静态参数测试；具体如下： ICES  集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流  IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。 <div class="media-wrap image-wrap"><img class="media-wrap image-wrap" src="http://img.jdzj.com/UserDocument/mallpic/hustec/Picture/181214000110193.png" height="auto" style="height:auto"/></div> Vce-Ic特征曲线 <div class="media-wrap image-wrap"><img class="media-wrap image-wrap" src="http://img.jdzj.com/UserDocument/mallpic/hustec/Picture/181214000115198.png" height="auto" style="height:auto"/></div> Vgth-Vce特征曲线 <div class="media-wrap image-wrap"><img class="media-wrap image-wrap" src="http://img.jdzj.com/UserDocument/mallpic/hustec/Picture/181214000122156.png" height="auto" style="height:auto"/></div>

IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。

大功率IGBT静态参数测试仪

ITC55100雪崩能量测试仪是原成功产品ITC5510的升级版本，它能执行ITC5510系列的所有测试，同时增加了许多功能，如提高测试精度，测试结果的收集，查看测试结果，连接多个被测品。ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。 它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。 测试模式单脉冲松开电感的开关（UIS）单脉冲雪崩应力（EAS）重复性雪崩能量（EAR）重复脉冲故障（RPF） 执行的测试连续性测试装置的插座和/或接触DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试- 前，后的雪崩功能设备测试雪崩测试 特点单路/双路设备测试N沟道，P沟道，混合全固态切换 - 无需继电器更快的测试电流范围：0.1A至200A，0.1A步骤雪崩电压至2500V触摸屏程序进入/控制波形捕获/显示内部测试程序存储（20个文件）高速电感充电，减少了测试时间可编程漏电测试电压前置/后置雪崩泄漏测试雪崩折叠测试多功能测试处理器控制15硬件排序箱改进的电压/电流精度通过Flash下载软件更新高速RS-485 PTNet接口控制参数输入密码使用所有ITC电感负载箱接口与ITC55MUX4 ITC55 RSF内置自我测试 安全特性测试时间过量的泄漏关闭外部安全锁定两个并联的手动启动按钮不断监测设备的电流。 如果电流超过或未能达到测试终止指定或计算时间的可编程水平。

ITC55100雪崩能量测试仪是原成功产品ITC5510的升级版本，它能执行ITC5510系列的所有测试，同时增加了许多功能，如提高测试精度，测试结果的收集，查看测试结果，连接多个被测品。ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。 它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。